在存储芯片价格大幅上涨的背景下，三星电子与SK 海力士2026年第一季度营收及利润均实现强劲增长，两家企业均披露了当期显著的价格走势。据三星5月15日发布的完整财报显示，包含DRAM与NAND在内的存储芯片平均售价，较 2025年全年均价暴涨约146%。

三星虽未单独披露DRAM与NAND的价格变动，但点明了核心增长动力：其设备解决方案（DS）部门旗下存储业务，在HBM4、DDR5等高性能DRAM，以及用于高容量固态硬盘的NAND闪存领域，需求持续旺盛。

同日发布财报的SK海力士则披露，当期DRAM芯片出货量与上一季度基本持平，受主流DRAM价格涨势持续发力推动，其平均售价（ASP）环比涨幅达65%左右。

NAND闪存的涨价幅度更为突出。该公司表示，NAND芯片出货量环比下降约10%，但得益于全产品线价格普遍上涨，其平均售价环比涨幅达到75%左右。

存储成本飙升重塑三星DX部门采购格局

存储芯片价格暴涨对三星电子而言也是一把双刃剑。财报显示，其DX（Device eXperience）用于终端产品的移动存储成本，较2025年全年均价上涨约107%。

据ZDNet报道，三星电子DX部门首次将“移动存储”纳入原材料采购清单。2026年第一季度，移动存储在该部门采购结构中的占比为9.4%，略高于摄像头模组的8.9%，但低于移动应用处理器（AP）的19.9%和显示面板的10.2%。

ZDNet进一步指出，当期DX部门采购总额达1.993万亿韩元（约合人民币103亿元），美国存储芯片厂商美光为其核心供应商之一。

研发投入大幅攀升，HBM4与HBM4E研发提速

另据韩国电子行业媒体The Elec消息，当期三星与SK海力士研发投入同比最高增幅达68%，凸显AI存储芯片领域竞争日趋白热化。

三星一季度财报显示，公司当期研发支出共计11.34万亿韩元（约合人民币589亿元），同比增长25.5%；资本开支达11.23万亿韩元（约合人民币583亿元），其中90.7%（10.19万亿韩元）投向DS部门。The Elec透露，三星计划今年在资本开支与研发领域合计投入超110万亿韩元（约合人民币5714亿元），重点推进AI半导体技术研发，并通过并购布局机器人等新兴业务。

值得注意的是，三星在财报中重点提及HBM的进展：基于10纳米级1c DRAM工艺的HBM4产品已于2月实现批量出货，其基底芯片由三星晶圆代工部门的4纳米工艺制造。据The Elec消息，三星正同步推进HBM4E的研发工作，预计2026年第二季度送出首批样品。

SK海力士一季度研发投入为2.55万亿韩元（约合人民币132亿元），较去年同期的1.52万亿韩元同比大幅增长68.3%，占其当期总营收52.58万亿韩元（约合人民币2728亿元）的4.9%。The Elec指出，该公司季度研发投入已于2025年第四季度首次突破2万亿韩元；2022年至2024年间，其季度平均研发投入约为1.11万亿韩元（约合人民币57.6亿元）。

SK海力士公布了HBM结构模型。（图片来源：SK海力士）

此外，SK海力士也在布局HBM4E产品线，计划2026年下半年送出样品、2027年实现量产。据报道，该产品的基底芯片将采用适配客户性能需求的定制化工艺，核心芯片则计划采用其自研的1c DRAM工艺节点。